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- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
3 1 SiC 半导体材料的基本性质 3 1 1 SiC 的晶体结构 SiC 具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质,是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。SiC 独特的性质与其结构密切相关,为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构,最普通的是立方 3C,六角 4H 和 6H,菱方
- SiC 和 IGBT 分别有什么特点? - 知乎
但是目前限制SiC应用主要是两方面,一是价格,其价格是传统Si型IGBT的7倍;其次是电磁干扰; SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT,电路回路寄生参数已经大到无法忽略,需要额外注意EMI问题。
- 碳化硅(SiC)芯片,指的是晶圆的沉底材料么? - 知乎
SiC晶圆的晶型 硅化碳(Silicon Carbide,SiC)晶圆通常是单晶的,但是这些单晶SiC晶圆可能由不同的多晶形体构成,SiC的多晶形体包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等,每种多晶形都有自己独特的性质。
- 为什么说碳化硅(SiC)技术优于传统的二氧化硅技术? - 知乎
SiC 虽然比硅 MOSFET 更昂贵(硅 MOSFET 通常受限于 900V 的击穿电压),但 SiC 可实现接近 10kV 的电压阈值。 SiC 还具有极低的开关损耗,能够支持高工作频率,从而实现目前无与伦比的效率,尤其是在工作电压超过 600 伏的应用中。
- 直接带隙和间接带隙有什么区别? - 知乎
Ref【2】: ned ipac caltech edu le 下面主要来讲讲你所关心的MoS2为啥在bulk是indirect bandgap而到了monolayer变成了direct bandgap。monolayer和few-layer,甚至bulk的最大区别就在于,它是纯的2D system,所有的电子都在2D体系内感受到了perpendicular的quantum confinement,而且不再有interlayer coupling存在。这里放张挖坑之作里的图
- 碳化硅(SiC)的优势是什么,能给电动汽车带有 . . . - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势,就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V,以后的高压直流充电桩里面也是用的高压,在这些高压的应用里,以后SiC,特别是高压的1200V的碳化硅比硅会更有优势。
- 功率器件中的硅基和SiC材料存在哪些显著差异? - 知乎
诚如题主所言Si和SiC材料在材料性质、应用场景等多方面有所差异,但是Si IGBT和SiC MOSFET具体存在哪些技术差异呢?小凌从以下几个方面进行系统性的补充,希望对大家有所帮助~ 1 Si和SiC材料特性的主要区别是什么? 有5个因素决定Si和SiC的材料在电力电子器件上的性能表现, 分别是带隙、击穿场强
- 新手必看:SCI、JCR分区、中科院SCI分区都是什么?该如何查询期刊在哪个分区? - 知乎
SCI是 科学引文索引,被它收录的期刊,被称为SCI期刊,在期刊领域,具有很高的地位。 JCR分区,包括SCI、SSCI、AHCI、ESCI期刊,但目前只有SCI、SSCI才有分区,也是WOS分区,通常称为Q1、Q2、Q3、Q4,算是国外的一种分区标准。 中科院SCI分区,是 中国科学院文献情报中心 期刊分区表中SCI期刊的分区
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