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- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
sic mosfet主要应用于600 v ~ 3 3 kv范围，用于替代si基igbt， 600v以下，虽然可以制备，但相比si器件没有明显优势。 较之si mosfet，为什么sic mosfet适用于更高级别的电压范围？ 关键，是两种材料的临界击穿场强差异。 sic材料的临界击穿场强，大概是si的10倍，
- 关于半导体碳化硅（Sic）外延工艺技术的详解； - 知乎
二、提高碳化硅（Sic）外延品质的方法 提高碳化硅外延品质可从优化衬底质量、改进外延生长工艺、严格控制生长环境以及加强质量检测等方面入手，具体方法如下： 1、衬底选择与处理 （1）选择高质量衬底：优先挑选结晶质量佳、缺陷密度低的碳化硅衬底。
- 为什么不用sic做igbt? - 知乎
sic mosfet的开通损耗很大程度上取决于sbd的反向恢复特性。sic sbd作为单极器件，消除了反向恢复过程，而在实测中，mosfet体二极管的反向恢复会导致导通电流过冲，增加导通损耗。然而，数据表中给出的sicmosfet芯片的开关损耗是在to-247封装中测试的。
- 新手必看：SCI、JCR分区、中科院SCI分区都是什么？该如何查询期刊在哪个分区？ - 知乎
知乎，中文互联网高质量的问答社区和创作者聚集的原创内容平台，于 2011 年 1 月正式上线，以「让人们更好的分享知识、经验和见解，找到自己的解答」为品牌使命。知乎凭借认真、专业、友善的社区氛围、独特的产品机制以及结构化和易获得的优质内容，聚集了中文互联网科技、商业、影视
- SCI和SCIE的区别是什么呢? - 知乎
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- 碳化硅（SiC)芯片，指的是晶圆的沉底材料么？ - 知乎
SiC是由硅和碳原子以共价键方式组成的四面体结构，这种结构为其提供了出色的化学稳定性。SiC在强酸、强碱的环境下能表现出良好的稳定性。但是在干法刻蚀工艺时刻蚀速率很低，需要特殊的刻蚀设备。 未完待续，下期介绍SiC晶圆的制造工艺及应用。
- SCI检索号是什么？如何查询SCI检索号？ - 知乎
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- 中科院完成目前世界上最大口径碳化硅单体反射镜研制，这一成果有哪些意义？ - 知乎
下午的验收会上，说的是中科院长春光机所完成了4 03米大口径SiC（碳化硅）反射镜研制，这也是公开报道的世界上最大口径碳化硅单体反射镜。 将这只闪亮的大眼睛装到望远镜中，能极大地提升望远镜分辨率
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