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- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
SiC 具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质，是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方 15R。
- 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 . . . - 知乎
先说说碳化硅(SiC)的优势。 首先是功率密度的提高：众所周知汽车里面空间是非常小的，所以功率密度的提高是以后的发展趋势，SiC器件的特性可以不仅使功率半导体的封装相比较硅的方案做得更小，而且使与功率器件配套的无源器件和散热器都做得更小。
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- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
sic mosfet主要应用于600 v ~ 3 3 kv范围，用于替代si基igbt， 600v以下，虽然可以制备，但相比si器件没有明显优势。 较之si mosfet，为什么sic mosfet适用于更高级别的电压范围？ 关键，是两种材料的临界击穿场强差异。 sic材料的临界击穿场强，大概是si的10倍，
- SCI检索号是什么？如何查询SCI检索号？ - 知乎
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- 半导体碳化硅(SIC)MOSFET 特性的详解； - 知乎
且SiC器件导通损耗对温度的依存度很小，SiC器件的导通损耗 随温度的变化很小，这与传统的Si器件也有很大差别。 4)、开关速度快 SiC的热导系数几乎是Si材料的2 5倍，饱和电子漂移率是Si的2倍，所以SiC器件能在更高的频率下工作。
- 有问题，就会有答案 - 知乎
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- 功率器件中的硅基和SiC材料存在哪些显著差异？ - 知乎
Si IGBT和SiC MOSFET在车规使用中的可靠性有哪些区别？ 相对于Si，SiC的栅极氧化层挑战性更大，它的外在缺陷密度比Si高出3-4个数量级，它的可靠性决定了SiC的产品质量。相比于平面结构，垂直结构的栅极氧化层可以做的更厚，可以更有效的提升栅极氧化层的可靠性。
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