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USA SIC Description:	Electric Equipment-Manufacturers
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Company Directories & Business Directories

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Company News:

3分でわかる ALD(原子層堆積法)とは？原理,特徴,CVDとの比較など要点解説 | アイアール技術者教育研究所
ALD（原子層堆積, Atomic Layer Deposition）は、気相の自己制御式な表面化学反応を利用した真空薄膜形成技術であり、CVD（化学気相堆積, chemical vapor deposition）の一種とされます。
原子層堆積 - Wikipedia
ALDは複数の気相原料 (プリカーサ)を交互に基板表面に暴露させることで膜を生成する薄膜形成方法である。 CVDと異なり、違う種類のプリカーサが同時に反応チャンバに入ることはなく、それぞれ独立のステップとして導入 (パルス)され排出 (パージ)される。
原子層堆積法 (ALD: Atomic Layer Deposition) | 技術と応用 | 株式会社オプトラン
Siウェハーのような平面基板からアスペクト比の高い立体構造物まで均一な膜をコートできます。ここでは、ALD法を特徴付ける基本原理やキーワードから膜の特徴 (コンフォーマリティほか)について説明します。
原理 – ALD Japan, Inc.
特に100nm 以下のサイズの穴の径に成膜するときに、ALD技術が優れた被覆性能を発揮します。また小さい穴（ポーラス）が沢山あるような物にも、ALDのガスは深く回り込んで入って成膜できます。
ALD装置〜最先端の半導体薄膜形成に不可欠な原子層堆積技術
ALD（原子層堆積）装置は、半導体製造分野において革新的な技術として注目を集めています。原子レベルでの精密な薄膜形成を可能にするこの装置は、次世代デバイスの開発に不可欠な存在となっています。
ALD（原子層堆積）とは？特徴・原理・半導体製造における役割・装置を紹介。 | 株式会社菅製作所
ALD（原子層堆積）は、原子レベルで精密な薄膜を形成する最先端技術です。その原理、熱・プラズマALDの特徴、多様な材料への応用、CVDやスパッタリングとの比較、そして菅製作所のALD装置ラインナップまで、ALDのすべてを徹底解説します。
ALD（原子層堆積法） ALDとは何か？どのような分野で利用されるのか? | lush book life
成膜工程の一つであるALD＝原子層堆積法は自己制御型の表面反応を利用して、原子レベルで膜を一層ずつ堆積させる技術です。原子レベルの精密な膜厚制御であるため、先端半導体の製造に欠かせない技術となっています。
ALD (原子層堆積) | オックスフォード・インストゥルメンツ - オックスフォード・インストゥルメンツ
原子層堆積（ALD: Atomic Layer Deposition）は先端的なデポジション (成膜) 技術であり、数 nm の超薄膜を正確に制御された手法により堆積させることが可能です。
原子層堆積 (ALD) について知っておくべきこと
原子層堆積 (ALD) は原子スケールの薄膜作製技術であり、均一で制御可能な厚さの超薄膜を堆積できます。