GIGUERE NATHALIE COMPT AGREEBusiness Directories,Company Directories

Company Name: Corporate Name:	GIGUERE NATHALIE COMPT AGREE
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USA SIC Description:	ACCOUNTANTS
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Company Directories & Business Directories

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Company News:

闩锁效应（Latch-up）详解 - 知乎
在CMOS集成电路中，闩锁效应不容忽视。这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应（Latch-up），以及有效抑制闩锁效应的方法。
一文搞懂闩锁效应（Latch up） - 藍色天空
在衬底制造器件最开始时，通过光照蚀刻等方式，在不同的器件之间形成浅的凹槽隔离，以防止不同器件之间的干扰，有较强的闩锁保护能力。
闩锁效应的产生原因及解决办法 - CSDN博客
本文探讨了闩锁效应的产生原因，主要涉及寄生双极晶体管和正反馈回路。解决方案包括减小寄生电阻、使用welltap技术和SOI技术隔离晶体管。
latch up闩锁效应原理及形成的原因 - 与非网
Latchup就是闩锁效应，它是CMOS工艺所特有的寄生效应，是指在CMOS电路中，电源 VDD和地GND之间由于寄生的NPN和PNP双极性BJT的相互影响而产生一个低阻通路，低阻通路会在电源和地之间形成大电流，可能会使芯片永久性损坏。
闩锁效应_百度百科
闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一个重要的问题，这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。
闩锁效应原理及形成的原因 - 21ic电子技术开发论坛
在制作NMOS时，首先是有一个P型衬底，一般称为P-substrate，为避免将substrate和Source混淆（因首字母一样），经常将P衬底称为P-Body或P-Bulk。
IGBT干货 | 闩锁 (Lanch-up)效应是什么？_晶体管 - 搜狐
闩锁 (Lanch-up)效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。
CMOS电路中的闩锁效应及其防止策略 - CSDN文库
随着技术的不断进步，器件特征尺寸逐渐减小，CMOS电路结构中的一些潜在问题也日益显现，其中就包括所谓的“闩锁效应”（Latch-up Effect）。本文将深入探讨闩锁效应的产生机制、触发方式，以及采取的保护措施和工艺防止策略。
CMOS工艺下的“芯片杀手”——闩锁效应（Latch Up） - 知乎
这玩意儿就是闩锁效应（Latch Up），江湖人称“芯片杀手”。为啥要怕它？因为它能瞬间让芯片从高富帅变成穷屌丝。比如你手机突然黑屏、电脑莫名死机，背后可能就有这货在搞鬼。
一文搞懂闩锁效应：电路里的“定时炸弹”与防护指南 - leiditech的日志 - 电子工程网
CMOS 工艺中的寄生晶闸管（SCR）结构，是由 NMOS 和 PMOS 的寄生 NPN PNP 晶体管相互连接形成的。这些寄生晶体管平时处于关闭状态，但当受到电压尖峰、静电干扰或高温时，会触发正反馈环路，导致电流在芯片内部无限放大，最终烧毁芯片或迫使系统断电。