PN DISTRIBUTION CORPBusiness Directories,Company Directories

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Company Directories & Business Directories

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Company News:

西门子PN PN耦合器学习应用系列 (1)-外观及接线 - 知乎
PN PN耦合器的好处在于它连接的两个PROFINET网络在电气上是相互隔离的，这样当我们的系统需要与工厂其它系统进行信号交互时，不用担心其它系统会对本地的PROFINET网络造成影响。老版本的PN-PN耦合器是一体式的，其外观具有S7-300的风格，如下图所示：
在半导体工程中，什么是 PN 节？ - 知乎
PN结的特性包括：单向导电性：当PN结上施加正向电压（即P端接电源正极，N端接电源负极），内建电场被削弱，外部电场促使多数载流子（N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴）更容易越过结区，形成较大的正向电流。
pn结的原理？ - 知乎
PN结是两种不同类型的半导体的接触面，它最基本的作用就是让电流单向导通，是集成电路中最基本的结构之一。
管材上标注的 DN，De，Φ，PN，SDR 有什么区别？ - 知乎
PN：是指公称压力，用在管道及管道配件、阀门等壳体设备的压力表示上。字母PN后跟的数字不代表测量值，如PN1 0Mpa的PE给水管，1 0代表承压压力等级，公称压力是指管材在二级温度（ 20℃）时输水的工作压力，即正常工作状态下作用在管道内壁的最大持续
为什么 pn 结的结深越浅，雪崩击穿电压就越小？ - 知乎
PN结的雪崩击穿电压与其结深有着直接关系，这主要是由于半导体物理中的电场分布和载流子加速机制决定的。要理解这一点，我们首先需要回顾PN结在反偏条件下的工作原理以及雪崩击穿现象的基本概念。 PN结基础 PN结由P型半导体和N型半导体组成，当对PN结施加反向偏压时，P型区的空穴和N型区的
我理解的半导体 pn 结的原理，哪里错了？ - 知乎
当PN结形成的时候，P型半导体和N型半导体直接接触。之前曾经讲过热平衡时同一块半导体材料会具有统一的费米能级，所以当PN结形成时，半导体的能带会发生弯曲，使得P型和N型半导体的费米能级能够统一。而能带是怎样弯曲的呢？首先我们考虑离PN结距离很远的地方，这里远在PN结电场的影响
PN结中漂移远动和扩散远动什么意思？ - 知乎
PN结：P型掺杂区和N型掺杂区接触形成，两者之间存在一个动态平衡。 P区：多子为空穴，少子为自由电子。 N区：多子为自由电子，少子为空穴。由于存在浓度梯度，多子会向少子方向扩散，即P区的空穴向N区扩散，留下带负电的掺杂粒子；N区的自由电子向P区扩散，留下带正电的掺杂粒子。这种
PN结的P区和N区到底是电中性还是呈现正负电性？ - 知乎
而空间电荷区内会形成一个内建电场，其方向是由N区（带正电）指向P区（带负电）。我们可以看到由于P区和N区之间“自由电子”和“空穴”的相互扩散，导致在空间电荷区（PN结）上是有电场的（内建电场，假设为0 7V）。那么PN结对外呈现电性么？
为什么二极管大多数pn结都是P重掺杂而不是N重掺杂？ - 知乎
设计高反向耐压PN结二极管的一个重要问题是，掺杂水平在1019cm-3以下的N型区将与金属产生很大的接触电阻，这对于工作在大电流密度下的功率半导体器件来说是不能被接受的。因此，N型区为低掺杂的二极管在高电压的应用场合是不可行的。
为什么在PN结两端施加正向电压会减小势垒电压 (减小耗尽层宽度)？ - 知乎
为什么在PN结两端施加正向电压会减小势垒电压 (减小耗尽层宽度)？书上说外电压会削弱势垒电压，所以阻挡层内合成电场减弱，扩散运动加强，空间电荷量减少，耗尽层宽度变窄。但是耗尽层的机理不是多子扩散运动产生的吗？扩散运动… 显示全部关注者 5